《界之軌跡》攻略:新系統介紹

新系統介紹

 

新系統介紹

新系統介紹

此處會介紹《界之軌跡》與前作(黎之軌跡2)相比,於戰鬥中增加的新系統

大致上有以下新系統

原野戰鬥

  • S.C.L.M.突擊
  • 原野Z.O.C.
  • 在原野覺醒

指令戰鬥

  • 晶片增幅與Z.O.C.
  • B.L.T.Z.與額外成員
  • 晶片指令與反制晶片指令

※關於黑色庭園請看黑色庭園(夾縫聖域)

※原則上在本站章節攻略都有提到這些新系統,如有遺漏再請參考章節攻略或遊戲內說明,感謝

 

 

原野戰鬥

S.C.L.M.突擊

在原野戰鬥精準閃避敵人攻擊後,再按攻擊鈕就可以發動「S.C.L.M.突襲」。

  • 會隨機挑選附近的夥伴以S.C.L.M.突襲發動反擊,這一擊等同於蓄力攻擊。
  • 這次與前作不同,不會交換操作夥伴,而是繼續控制原本操作角色,進行普通攻擊、快捷魔法或發動Z.O.C。
  • 夥伴進行S.C.L.M.突襲的當下,操作角色無法同時發動蓄力攻擊,但只要S.C.L.M.突襲完畢後就可以使用蓄力攻擊。

 

原野Z.O.C.

此為新系統Z.O.C (原野戰鬥),在原野戰鬥時長按就可以發動Z.O.C(注意要長按,有那麼點不方便),會有以下特性

  • 敵人的速度變慢,幾乎無法攻擊,可以讓我方安心攻擊。
  • 攻擊力大幅提升(約3倍)、強化累積暈眩值效率。
  • 發動期間依舊可以進行「快捷魔法」或「蓄力攻擊」,能造成高傷害並讓敵人暈眩。

發動Z.O.C需要消耗量表,量表滿了才能再次發動,但進行攻擊可以加快累積速度,鼓勵玩家在原野戰鬥積極攻擊。

 

在原野覺醒

會於章節推進慢慢解鎖角色的「覺醒 」,最早為第Ⅰ部①時的范恩覺醒。

在原野戰鬥時同時按下 + 就可以「覺醒」

  • 范恩覺醒後會發動煉氣功,並獲得速度&攻擊力提升+HP逐漸回復的效果。
  • 覺醒可以跟Z.O.C(原野戰鬥)同時發動,將會達到非常強力的攻擊力,幾乎可以在原野戰鬥中直接掃盪強敵。

不過發動覺醒的條件為需要有3格以上的增幅量表,而發動後增幅量表會慢慢減少,且無法取消。

此外,范恩在覺醒期間進入指令戰鬥的話,會以發動戰技「煉氣功」的狀態開始戰鬥,可持續一回合的時間。

 

角色的「覺醒」也都可以在指令戰鬥利用戰技發動,需要花費CP但持續回合數較長

以下則為其他角色的覺醒

茱迪絲的覺醒(幻夜之貓)

第Ⅰ部②首次進入黑色庭園的攻略關卡後,茱迪絲也會解鎖在原野戰鬥時同時按下 + 「覺醒」

  • 茱迪絲的覺醒是變身幻夜之貓,同樣可獲得速度&攻擊力提升+HP逐漸回復的效果。

此外,茱迪絲在覺醒期間進入指令戰鬥的話,會維持「幻夜之貓」狀態開始戰鬥,可持續一回合的時間,搶得戰鬥先機。

  • 「幻夜之貓」狀態:普通攻擊與戰技「追加魔法屬性額外傷害」。

黎恩的覺醒(無想神氣合一)

第Ⅱ部黎恩①首次進入黑色庭園攻略關卡,或者歐茱峽谷後,黎恩會解鎖在原野戰鬥時同時按下 + 「覺醒」

  • 黎恩的覺醒是進入無想神氣合一,同樣可獲得速度&攻擊力提升+HP逐漸回復的效果。
  • 覺醒期間進入指令戰鬥的話,會維持「無想神氣合一」狀態開始戰鬥,可持續一回合的時間,非常強勢。

※指令戰鬥的戰技「無想神氣合一」效果

  • 發動戰技時:獲得「心眼」、「所有能力 ↑ 」,並進入4回合狀態「神氣」(無想神氣合一)。
  • 神氣:戰技威力提升(名稱也會改變),造成傷害+50%/承受傷害-50%。

 

其他可神氣合一的角色(隨主線進度加入)

  • 靜名的「神氣合一」
  • 且與黎恩「無想神氣合一」在指令戰鬥有不同效果

※指令戰鬥的戰技「神氣合一」效果

  • 發動戰技時:獲得「心眼」、「攻擊.行動力 ↑↑」,並進入4回合狀態「神氣」(神氣合一)。
  • 神氣:戰技威力提升(名稱也會改變),造成傷害+75%。 (即更高傷害但沒減傷)

范恩的魔裝鬼化

第Ⅱ部范恩①范恩在「黑色庭園」內會解鎖在原野戰鬥時同時按下 + 「魔裝鬼化」

  • 魔裝鬼化後可獲得速度&攻擊力提升+HP逐漸回復的效果。
  • 魔裝鬼化進入指令戰鬥的話,會維持「魔裝鬼」狀態開始戰鬥,可持續一回合的時間,非常強勢。

 

※指令戰鬥的戰技「吞噬噩夢」

  • 消耗CP200變化為「魔裝鬼」(可維持4回合)並補回CP100,行動與魔裝鬼時相同,一回合行動2次,並視增幅次數最大可行動4次。
  • 而庭園外的現實世界指令戰鬥,只有特定戰鬥才能夠使用(通常是特定的BOSS戰),一般指令戰鬥無法使用。

凱文的覺醒(解放聖痕)

第Ⅱ部凱文①首次前往「黑色庭園」或者「陽炎沙丘」,凱文會解鎖在原野戰鬥時同時按下 + 「覺醒」

  • 凱文的覺醒是進入解放聖痕,可獲得速度&攻擊力提升+HP逐漸回復的效果。
  • 覺醒進入指令戰鬥的話,會維持「解放聖痕」狀態開始戰鬥,可持續一回合的時間,非常強勢。

※指令戰鬥的戰技「解放聖痕」

  • 發動戰技時:獲得「攻擊.魔法攻擊 ↑↑ 」,並進入4回合狀態「聖痕」。
  • 聖痕:所有戰技(包含S戰技)消耗的CP減半,造成傷害+50%/承受傷害-50%。

 

其他可解放聖痕的角色(隨主線進度加入)

  • 守護騎士塞莉絲
  • 守護騎士里翁

 

 

指令戰鬥

晶片增幅與Z.O.C.

晶片增幅

發動「晶片增幅」與前作相同,可獲得空洞核心效果與提升晶片技能的發動機率,但由於增幅量表用量需求變多(多了晶片指令),有以下改變

  • 晶片增幅一次就能讓晶片技能的發動機率變為100%。
  • 晶片增幅一次就可以使用S戰技(稍後才會解鎖S戰技)。
  • 完全增幅(增幅兩次)則是有其他效果(進入指令戰鬥的Z.O.C)。

也就是說S戰技變得容易發動,更容易在戰鬥中擴充增幅量表。

 

Z.O.C(指令戰鬥)

Z.O.C(指令戰鬥)就是增幅兩次後,在完全增幅狀態就會自動進入Z.O.C(指令戰鬥),讓角色可以連續行動兩次。

  • 更簡單說就是完全增幅可連續行動兩次。

 

S戰技

與前作(黎2)不同,在界之軌跡只要增幅一次就可以發動S戰技。增幅一次與增幅二次(完全增幅)的差別在於

  • 晶片增幅一次就能讓晶片技能的發動機率變為100%。
  • 晶片增幅一次就可取得空洞核心的能力加成。
  • 晶片增幅一次就可以使用S戰技。
  • 完全增幅(增幅兩次)除了上述效果外,角色還可連續行動兩次。

另外注意只要在增幅狀態下,只能發動一次S戰技,下一次要發動S戰技需要等增幅效果消失。

由於晶片指令也需要增幅量表,所以擴充增幅量表變得更重要

  • 建議戰鬥初期就以增幅一次的狀態來發動S戰技,盡量擴充增幅量表,這樣才有足夠量表來使用晶片指令(前期通常用防禦類指令),大概擴充到6~7格就能有不錯的運用空間。
  • 而到了戰鬥尾聲時,則是改用攻擊類指令,再配合完全增幅讓角色可連續行動兩次,行動完馬上接S戰技,來達到最高傷害。

 

B.L.T.Z.與額外成員

B.L.T.Z.

B.L.T.Z.是新的AT獎勵類型,獲得該AT獎勵的角色會獲得額外成員的加成。

  • 發動普通攻擊時,額外成員會進行追擊。
  • 發動攻擊戰技、魔法時,會提升傷害。
  • 發動回復、輔助效果時,會增加回復量,或者持續回合數。

且B.L.T.Z.可以跟S.C.L.M.同時發動,例如發動普通攻擊時,S.C.L.M.連結夥伴與額外夥伴都會進行追擊一次。不過注意敵方也有同樣的效果。

 

額外成員

部分角色會以額外成員身分同行

  • 不會直接參加戰鬥,無法變更裝備或迴路,但可以穿外觀服裝。
  • 會提供獨特的「晶片指令」,通常比一般晶片技能更強。
  • 會以發動B.L.T.Z.的形式來提供支援。

 

晶片指令、反制晶片指令

晶片指令

晶片指令就是以前舊作(閃3到創軌)勇氣指令的改良版,在指令戰鬥時按可以開啟晶片指令選單

  • 消耗「增幅量表」來使用。
  • 以隊伍成員裝備中的「空洞核心」來決定持有的晶片指令。
  • 部分成員有獨特晶片指令(且更強),且為該成員專屬,且如果有裝備空洞核心,也可以用該空洞核心的晶片指令。

由於這次增幅量表也用於晶片指令,所以增幅量表初期即為4格,且發動S戰技的條件變為增幅一次即可使用,讓玩家有更大的彈性選擇戰術。

  • 這也表示運用「晶片指令」或「增幅」的時機會變得更重要,在高難度戰鬥更是如此。
  • 晶片指令的效果非常強大,只要運用得當就能順利攻略。
  • 不過強力的BOSS型敵人也有反制晶片指令的能力,所以要考慮的點會更多,到時候會在各BOSS戰分析。

 

反制晶片指令

此為敵方專用的指令,部分敵方角色會用「反制晶片指令」蓋過我方的晶片指令。

  • 但輪到我方時,我們可以再次使用晶片指令再次覆蓋,但消耗的增幅量表會+1。
  • 基本上最怕就是敵方使用反制晶片指令後,又輪到大量敵人行動,此時會非常危險,所以在指令戰鬥時確認行動序變的重要許多。
  • 而要我方要覆蓋回去的增幅量表消耗量也變多,在戰鬥初期擴充增幅量表也變為關鍵之一,以免量表不足沒辦法覆蓋。

順帶一提,我方晶片指令只有我方行動時才會減少回合數。但敵方反制晶片指令時,敵我雙方行動都會減少回合數,偶爾也可以靠這點來撐過去。(※這點是錯誤的,修正:反制晶片指令只有我方行動時才會減少回合數)

 

敵方S-Break

部分敵方也會發動S-Break來插隊使用S戰技,這次敵方有兩個條件會使用S戰技。

  • 一種就是HP低於一定比率後(通常50%),下一次行動會使用S戰技。
  • 另一種就是現在說的,HP低於一定比率後(通常50%)會無視行動序發動S-Break來插隊使用S戰技。

原則上防範方法就是先預估好敵方HP量,事前施放防禦類晶片指令,再用S戰技削減敵方HP到低於一定量來迫使他使用S戰技。

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