《黎之軌跡》攻略：遊戲系統教學

遊戲系統教學

• 戰鬥系統
  • 戰鬥系統概要
  • 原野戰鬥
  • 指令戰鬥
  • 晶片增幅與S戰技
  • 魔裝鬼戰
• 戰術導力器賽法《Xipha》
  • 戰術導力器概要
  • 結晶迴路與晶片技能
  • 魔法驅動器
  • 空洞核心
• 其他系統
  • 成就系統
  • MVP系統
  • 美食家階級
  • LGC陣營
  • 連結筆記
  • 欣賞電影
  • 其他便利系統

這裡的內容修改自章節攻略的說明，修改了編排與文字描述，但大致上內容一樣

(部分系統會隨著遊戲進度解鎖)

戰鬥系統

戰鬥系統概要

這次《黎之軌跡》在戰鬥系統上改良了不少，最主要改變為有「指令戰鬥」與「原野戰鬥」兩部分。

• 指令戰鬥：大致上與舊有的「軌跡系列」的指令型AT戰鬥相同，並導入了新型戰術導力器《賽法 (Xipha)》的獨特新要素。
• 原野戰鬥：改良舊有的原野攻擊，增加了連續攻擊、迴避、蓄力攻擊等動作，可直接減少敵人HP與增加暈眩值。

「指令戰鬥」為主要的戰鬥方式，大部分的劇情戰鬥或者BOSS戰只能使用「指令戰鬥」來進行戰鬥，也只有在「指令戰鬥」中才能使用戰技與魔法。

「原野戰鬥」則為輔助戰鬥，用來快速解決一般敵人，或者預先攻擊削弱敵人HP後，再進入「指令戰鬥」取得先機。

原則上整個戰鬥系統沒有偏離舊作指令型AT戰鬥的玩法，不過規則會與舊作不同，也增加了許多新要素，需要好好重新熟悉

 

關於難度

遊戲剛開始可以選擇難度，難度敘述如下

難度	內容
VERY EASY	指令【VERY EASY】／原野【EASY】 能夠輕鬆打贏戰鬥的平衡度。適合想要享受劇情的人。
EASY	指令【EASY】／原野【EASY】 能夠輕鬆享受戰鬥樂趣的平衡度。適合新手玩家。
NORMAL	指令【NORMAL】／原野【NORMAL】 能夠享有挑戰性戰鬥的標準平衡度。
HARD	指令【HARD】／原野【HARD】 戰鬥難度將變得相當嚴峻。適合高手玩家。
NIGHTMARE	指令【NIGHTMARE】／原野【HARD】 稍微大意便會致命的嚴苛平衡度。適合超高手玩家。

※HARD以上的指令戰鬥難度，如果於戰鬥中敗北，無法選擇「略為降低敵人強度後重試」的選項。

難度主要影響敵人面板資訊中的HP與SPD，還有實際戰鬥中的敵方攻擊力、防禦力(面板數值為基礎值)。

• 一般來說初次遊玩可以選擇【NORMAL】難度，再視情況選擇難度，【VERY EASY】~【HARD】之間可以隨意變換。
• 而如果想要嘗試挑戰的玩家，在新遊戲可選擇【NIGHTMARE】難度。這個情況下，遊戲中雖然可以更改難度，但只要有更改過難度就無法取得相關獎盃。同樣中途才選擇【NIGHTMARE】也不會有獎盃。

(這次【NIGHTMARE】難度不像舊系列那麼嚴格，反而有點像是在考驗對戰鬥系統的熟悉程度，所以有心想鑽研戰鬥系統的玩家可以選看看NIGHTMARE)

 

原野戰鬥

「原野戰鬥」的基礎

原野戰鬥指在原野上直接按對敵人發動攻擊即可。

• 連按可以連續攻擊。按可以閃避。
• 原野攻擊時，可以隨時按來切換成指令戰鬥，可視情況來切換。
• 通常弱小魔獸是利用「原野戰鬥」來清除，稍強魔獸則是先用「原野戰鬥」削減HP，或是讓魔獸進入陷入暈眩(STUN)後進入「指令戰鬥」先制攻擊。

但注意敵人也會發動攻擊，所以必須要使用來閃避。要是一直被敵人攻擊而陷入危機，會以敵人先制的狀態展開「指令戰鬥」，對戰鬥會非常不利。

• 敵人傷害比想像中的高，敵人攻擊前都會發光，可以看準時機來閃避。
• (修正)連按可連續攻擊，且可以取消一般攻擊，於攻擊動作中閃避。
• 推薦先閃避後直接攻擊，會有一擊稍強的攻擊，攻擊後馬上準備閃避，保持機動性。

此外，當原野上的敵人HP低落時，會使用所謂強力攻擊，被強力攻擊攻擊會強制進入敵人先制的指令戰鬥

強力攻擊無法用迴避，只能遠離敵人或搶先用散布晶片。

 

蓄力攻擊&晶片攻擊

原野戰鬥時會有「動作量表」，累積到MAX就能夠發動蓄力攻擊。

• 攻擊敵人就能累積「動作量表」。
• 精準閃避敵人攻擊，則可以直接將「動作量表」累積到MAX。
• 蓄力攻擊可以大量累積「暈眩值」，「暈眩值」達到100%敵人會陷入暈眩(STUN)。
• 想要施展蓄力攻擊時，需要等一般攻擊的動作完畢後才能施展，無法取消攻擊直接施展，但部分角色攻擊動作小，容易接續蓄力攻擊。(例如范恩)

如果敵人陷入暈眩(STUN)，按下進入指令戰鬥，就會同步發動「晶片攻擊」，會對範圍內所有敵人造成傷害。

因為敵人陷入暈眩(STUN)，所以我方是以先制攻擊的狀態進入戰鬥，取得先機。

 

暈眩(STUN)

敵人都有暈眩值設定，只要暈眩值達到100%敵人就會陷入暈眩(STUN)。

• 「原野戰鬥」與「指令戰鬥」皆能造成敵人暈眩。
• 在「指令戰鬥」中陷入暈眩的敵人會無法行動一段時間(行動序會大幅延後)。
• 可以搶奪暈眩敵人的「ＡＴ獎勵」，如果我方原本就有ＡＴ獎勵，則可以跟搶奪回來的ＡＴ獎勵一起發動，最多可以擁有三個ＡＴ獎勵。

目標和射程

原野戰鬥時，可以按下(R3，按下右操作桿)來鎖定敵人，攻擊時會自動朝向敵人方向攻擊。

• 通常是需要集中某敵人攻擊時使用，或者享用遠程攻擊攻擊較遠的敵人時使用。
• 遠程攻擊時需要注意敵人是否有進入射程。

 

指令戰鬥

「指令戰鬥」的基礎

在原野上遇到敵人直接按散布晶片，或者讓敵人陷入暈眩(STUN)，按下發動「晶片攻擊」，都可進入指令戰鬥。

指令戰鬥會依照ＡＴ（行動順序）選擇行動來推進戰鬥。

• 這次ＡＴ獎勵敵我雙方為分開，所以無法使用Ｓ戰技來搶奪，而是需要將敵人打入暈眩或者使用特殊技能來搶奪。
• 按下(L2鈕)可以觀看敵我雙方的行動序，數字越小越快行動，記得多加利用。
• 但無法精確預估角色行動的僵直時間（延遲）位置（DELAY位置），只能粗略預估。

ＡＴ輪到時推動（左操作桿）可自由移動。

• 輪到角色行動時可以自由移動調整位置，藍圈即為移動範圍，與角色MOV(移動力)有關。
• 移動不會消耗任何能量，也不會增加僵直，每次攻擊前，建議調整好位置讓敵人納入戰技、魔法等範圍，發揮最大的效益。

(再提醒一下，由於我是使用PS5主機，、的按鈕功能與PS4主機相反，再請注意)

 

使用戰技

按可發動戰技，可消耗CP使用各式各樣的戰技

• 攻擊敵人或者承受傷害會累積CP，也可利用配件或者晶片技能等來增加CP。
• 戰技名稱旁會顯示消耗CP與簡易的威力、範圍，此時按下(R3，按下右操作桿)可觀看戰技的詳細資料。
• 部分戰技有「側面特效(SIDE)」或「背面特效(BACK)」，從敵人側面或者背面攻擊可以增加威力，所以角色位置會影響戰技的傷害。

※「側面特效(SIDE)」或「背面特效(BACK)」可增加30%的威力。

 

晶片技能

新系統「晶片技能」，在「指令戰鬥」時會發揮功效，「晶片技能」簡單說就是「被動技能」，會視機率自動發動。

• 在導力器(賽法)上裝備「結晶迴路」，滿足特定條件就可以啟用「晶片技能」。
• 晶片技能的種類非常多，都能對戰鬥造成影響，可以說是重要的系統之一，後續一定要花心思來研究搭配。
• 「結晶迴路」與「魔法」需要獨立分開設置。

詳細晶片技能說明請看結晶迴路與晶片技能。

 

 

使用魔法

按下就可以切換為魔法指令選單

• 魔法同樣會顯示消耗EP與簡易的威力、範圍。按下(R3，按下右操作桿)可觀看詳細資料。
• 連按可以在「攻擊魔法」與「輔助魔法」的清單做切換，習慣後會快速不少。
• 發動魔法後需要驅動時間，在行動序上會顯示「CAST」位置，按下同樣不會顯示CAST位置的行動數字，只能粗估。

 

解除指令戰鬥．逃走

除了特定的戰鬥外(例如BOSS戰)，可以長按來解除指令戰鬥(PS4主機是)，解除後是回到原野戰鬥，所以還是需要注意敵人的原野攻擊，但只需要遠離即可。

※很多指令都有重新設計過，變成單按按鈕來切換各種指令，一開始需要花一點時間來習慣，不過上手後就能迅速切換指令，加快戰鬥節奏。

 

搶奪ＡＴ獎勵方式

這次ＡＴ獎勵綁在角色身上，敵我雙方皆如此，需要利用下列方式來搶奪

• 讓敵人陷入暈眩。
• 擊倒敵人。
• 使用「晶片技能」機率搶奪。(晶片技能「奪取獎勵」)

※無法使用Ｓ戰技來搶奪ＡＴ獎勵。

 

S.C.L.M.連結

只要與夥伴相鄰，就可以發動S.C.L.M.連結。

• 角色周圍會有一小圈的「晶片力場」，任意兩人重疊後就是發動S.C.L.M.連結。
• 只要移動就可以隨時更換連結對象。
• 發動S.C.L.M.後，根據行動有「S.C.L.M.連鎖」與「S.C.L.M.支援」兩種效果。
• 除此之外，發動S.C.L.M.後部分晶片技能發動機率會上升。

• S.C.L.M.連鎖：使用普通攻擊時發動，夥伴會發動追擊。
• S.C.L.M.支援：使用戰技或者魔法時發動，會強化威力。

原則上靠在一起發動S.C.L.M.會比較有優勢，但靠在一起就容易一起受到敵人攻擊，所以要視夥伴特性彈性行動。

 

顯示敵人詳細資訊

在「指令戰鬥」中，按下(觸控板)可以顯示出敵人的詳細資訊。

• 能力值、經驗值、暈眩值、弱點屬性、異常狀態抗性等等都可以直接觀看，不需要調查。
• 弱點屬性會以數字表示，數字越大表示越有效。
• 異常狀態抗性改用圖式表示，◎特效／○有效／△抗性／×無效，四個階級，原則上「○有效」即有不錯的效果。

※這次依舊要收集敵人的戰鬥筆記，但已經不需要額外花一回合調查，只需要打倒敵人就會「自動登錄」，方便很多。但沒遭遇過的敵人就不會登錄，所以還是需要積極戰鬥。

 

狀態變化

狀態變化有許多種，不僅僅只有下圖這幾項（詳細可以在筆記頁面查看）

• 該注意的是「凍結」、「封技」、「封魔」等等的異常狀態，變成有機率失敗而非100%禁止，敵我雙方皆為如此，所以替敵人上異常狀態後，還是有可能遭受到敵人攻擊，這點要注意。

 

戰鬥成果與戰術獎勵

戰鬥結束後會列出戰鬥成果，確認獲得的經驗值、耀晶石與道具

也可以顯示戰鬥詳情，確認取得的戰術獎勵。

• 戰術獎勵越高，獲得的經驗值越多。

 

晶片增幅與S戰技

晶片增幅

晶片增幅為非常重要的戰鬥系統，會直接影響戰鬥的勝負。戰鬥中按下可以消耗「增幅量表」來發動晶片增幅(通常稱增幅或S-Boost)，會持續２回合，並獲得下列效果

• 獲得「空洞核心」的增幅效果，提升角色能力。
• 提升「晶片技能」的發動機率。

增幅有分增幅LV1與增幅LV2(完全增幅)，每增幅一次要消耗１格增幅量表，所以完全增幅需要２格增幅量表。

※「空洞核心」是導力器的核心，可以視為一種另一個裝備，且會隨著取得戰鬥經驗值來成長，增加更多的增幅效果。

 

「空洞核心」的增幅效果

會依照裝備中的「空洞核心」的效果來決定，例如下圖中，空洞核心「Mare -梅亞-」的增幅效果為「多工處理」，「Aim -艾姆-」的增幅效果為「救贖氣息」，有不同的效果。

• 戰鬥中按住就可以看到操作角色的空洞核心增幅效果。
• 只需要增幅LV1就能夠取得「空洞核心」的所有增幅效果。

※空洞核心的增幅效果只有進入增幅狀態時才能發揮效果，平時沒有增幅狀態的話，只有「魔法攻擊力＋」與「EP上限＋」兩項有效果。

 

提升晶片技能的發動機率

進入增幅後，也可以增加晶片技能的發動機率

• 例如「火光衝擊」基礎發動率只有25%，增幅LV1就會變為50%，增幅LV2則是100%發動。

※對付強敵是否有發動「晶片技能」是很重要的，加上空洞核心的增幅效果是以百分比來增加能力，有沒有發動增幅將直接影響戰鬥的勝負。

 

增幅LV2的效果

除了上述的增幅效果外，增幅LV2會有其他額外效果

• 晶片增幅回合＋１回合。
• 進一步提升晶片技能的發動機率。
• 可以發動Ｓ戰技，需要消耗100CP。

 

Ｓ戰技

S戰技為強大的招式，但需要有特定的條件才能使用。

• 必須於「完全增幅」的情況下才能使用，且需要花費CP100，可戰技選單選擇發動。。
• 也可以直接利用＋方向鍵發動「S-Break」，也就是無視ＡＴ順序立刻發動Ｓ戰技。
• 使用S-Break會自動消耗「增幅量表」發動「完全增幅」。

這也就是說這次S戰技需要花費「２格增幅量表＋CP100」來發動，但在「完全增幅」消失前，再次發動只需要花費CP100。

而因為這次ＡＴ獎勵綁在角色身上，所以如果剛好有角色行動序在後面，但有ＡＴ獎勵「爆擊」在身上，就可以用S-Break可以把「爆擊」一起帶過來發動S戰技。

S戰技除了有強大的威力外，還能夠擴充增幅量表。

• 每次使用S戰技後，增幅量表的上限會提升１格。
• 增幅量表起始值為３，最多可以擴充到９。

擴充增幅量表後，就能讓隊伍的每個人更容易發動「晶片增幅」得到空洞核心的增幅效果，增加全隊伍的能力。

※平時在原野打破可破壞物件就能夠累積增幅量表，戰鬥中攻擊敵人或者被攻擊也會增幅量表，而且累積的速度很快，所以增幅量表不需要留著不用，反而鼓勵大家多使用。

 

增幅的時機

雖然鼓勵大家多使用增幅，但增幅量表畢竟不是無限的，尤其在面對較強的BOSS戰時，在戰鬥時間拉長的情況下，還是需要選擇增幅時機。

以下稍微說明推薦的時間點

• 戰鬥開始時：戰鬥開場就消耗１格增幅量表，除了強化角色外，通常敵我一輪行動完後就差不多能再把增幅量表回填１格。
• 使用Ｓ戰技：由於增幅量表起始值只有３，使用Ｓ戰技才能擴充上限值，後續才能夠更彈性廣泛運用增幅。如果預期到戰鬥時間會拉長，建議於開場就先使用Ｓ戰技，提早擴充上限。
• 增幅量表滿了之後：增幅量表滿了就不會再累積，此時使用增幅消耗１格量表，同時強化角色，也可適當使用Ｓ戰技繼續擴充增幅量表上限。
• 想對敵人大量傷害時：通常是敵人殘血時或者陷入暈眩，一口氣造成大量傷害，一波帶走。

※戰鬥中還有「連段數」的設定，我方攻擊都能累積連段數，連段越高造成傷害就越高，在戰鬥中也站了一席之地。我方連續行動的次數越多，就能夠持續累積連段數，直到敵人行動為止，被敵人打斷後就要重新累積。

※開場就使用範圍大且多段的Ｓ戰技，可以直接累積連段數。甚至算好行動序，先使用範圍較大且段數高的魔法後(例如「風之飆塵」)，再放Ｓ戰技，可以累積更多的連段，如果又剛好把敵人打到暈眩，則能夠繼續累積連段造成高傷害。

 

交替

如果隊伍中有５人以上，於戰鬥中＋擊可替換後備成員。

• 選擇後備成員時，按可以確認戰技或魔法。
• 交替後，需再次輪到下一位我方的行動後，才能再次交替。

 

魔裝鬼戰

在遊戲初期，主角范恩於特定戰鬥會自動變身為魔裝鬼，變身魔裝鬼後，范恩可以連續行動。

• 可以從技能清單中選擇複數的行動，發動猛攻。
• 基本的連續行動次數２次。使用晶片增幅後可以增加到３次。

攻擊有分基本攻擊與戰技、Ｓ戰技

• 基本攻擊：可以連續使用，且有一定的特殊效果，例如快速打擊可以降低物理防禦，重踢可以降低魔法攻擊。不過注意重踢會消耗ＣＰ１０。
• 戰技：有攻擊戰技(消耗CP)與魔法戰技(消耗EP)，每次連續行動只能選擇一次。
• Ｓ戰技：發動規則與一般角色相同，需要在增幅狀態下才能使用。

使用晶片增幅後可以增加魔裝鬼的行動次數，由於魔裝鬼的攻勢很強，通常建議全程保持增幅LV1的狀態。

• 基本戰法為兩次基本攻擊＋一次戰技，可以容易回收CP發揮比較高的戰力。
• 如果CP200時，則變為先使用一次戰技，再接基本攻擊或魔法攻擊。

 

魔裝鬼特殊行動

除了遊戲內所說明的行動外，魔裝鬼還有以下特殊行動

• 如與隊伍夥伴S.C.L.M.連結時，該夥伴遭受攻擊時，魔裝鬼必定使用「捨身掩護」替夥伴承受傷害(一般攻擊或敵人S戰技皆會)。
• 如與隊伍夥伴S.C.L.M.連結時，該夥伴使用戰技或魔法時，魔裝鬼除了會用S.C.L.M.支援替夥伴強化威力外，魔裝鬼本身會使用「追擊」(一般攻擊)攻擊敵人。

所以變身魔裝鬼後，建議選擇一位夥伴與魔裝鬼進行S.C.L.M.連結，雙方都能得到戰力的最大化。

 

主動變身魔裝鬼(吞噬惡夢)

遊戲進行一定程度後(約間章中期)，范恩會解鎖吞噬惡夢戰技，在特定戰鬥中可主動變身為魔裝鬼。

• 魔裝鬼化需要消耗CP200，但變身後會回復CP100。
• 魔裝鬼化後，３回合後解除變身。

基本上范恩可使用吞噬惡夢情況都是遭遇到強敵時，此時非常仰賴魔裝鬼的輸出，建議以魔裝鬼為戰術中心來對付敵人。

• 建議在尚未給予敵人致命一擊前，盡量保持CP200左右。如此一來才能在解除變身後，短時間內再次變身。
• 可由其他人替魔裝鬼施放魔法「強音之力」等來增強魔裝鬼的能力，大幅增加傷害。

 

 

戰術導力器賽法《Xipha》

戰術導力器概要

戰術導力器賽法《Xipha》大致上由「空洞核心」、「結晶迴路」與「魔法驅動器」三個部分組成。

• 結晶迴路：設置結晶迴路可增加人物能力與啟用晶片技能。
• 魔法驅動器：決定角色可以使用什麼魔法，可用外掛組件自訂魔法。
• 空洞核心：影響增幅效果與AI語音，會隨著戰鬥取得經驗值成長。在結晶迴路頁面按可以更換。(第二章才能更換)

 

結晶迴路與晶片技能

結晶迴路

在主選單按下就能進入ORBMENT畫面，選擇「結晶迴路」頁面可以設置結晶迴路。

• 結晶迴路可以提升角色的能力，有HP、STR等各種效果，也有高階版本的結晶迴路。
• 結晶迴路必須要有解鎖的插槽才能設置。但不管設置到哪一個插槽或結晶線，都不會影響提升的能力。
• 無法設置相同結晶迴路，但同種類不同階級的迴路沒有限制。
• 部分插槽有屬性限制，只能設置同屬性的結晶迴路。

這次魔法與結晶迴路無關，魔法必須獨立設置「魔法驅動器」才能使用。

取而代之的是結晶迴路可以發動新要素「晶片技能」。

 

啟動晶片技能

設置結晶迴路後，只要滿足特定「屬性值」就能夠發動「晶片技能」。所謂晶片技能可以視為「被動技能」，會隨著我們行動機率性發動。

• 每一種結晶迴路都有自己的「屬性值」。
• 同一條結晶線才能累計屬性值，不同結晶線之間不會互相影響。
• 固定屬性的插槽，屬性累計值為２倍。

 

如何確認晶片技能

導力器上的四條結晶線，分別為「武器」、「護盾」、「驅動」、「EXTRA」。

• 不同結晶線則會影響晶片技能的類型，也會對應到戰鬥中不同的行動。
  • 例如在「武器」結晶線上累計火屬性值2可發動「火光衝擊」。(攻擊時有機率可造成《火》屬性額外傷害)
  • 同樣火屬性值2在「護盾」結晶線則是發動「火光抗性」。(有機率使「炎傷」無效，並以HP1抵擋傷害。)
• 右下角屬性值計算會幫忙算出各條線的累積屬性值。

不同結晶線上的晶片技能，會對應到戰鬥中不同的行動，大致上如下

(不一定都會照以下規則，實際發動條件可以在設置結晶迴路頁面，按下觀看晶片技能列表來查看。)

• 武器：普通攻擊或使用戰技時，有機率發動「晶片技能」。
• 護盾：受到攻擊時或者使用「防禦」時，有機率發動「晶片技能」。
• 驅動：發動魔法時，有機率發動「晶片技能」。注意增傷型晶片技能需要使用相同屬性魔法才會發動。
• EXTRA：沒有歸類到上述行動的晶片技能，通常為實用晶片技能。

而上一張圖中的「EXTRA」第一格插槽為空，例如將「精神1」設置上去，就會變為下圖

• EXTRA結晶線啟用了「寶藏獵人」這個所需屬性值「幻×2」的晶片技能。
• 因我們裝備迴路「精神1」屬性值也是「幻×2」，滿足了啟用條件。

• 第二個「幻象起手式」為暗色，即尚未啟用，所需屬性值顯示為「幻 2 / 4」，表示啟用條件為屬性值「幻×4」，但我們只裝備「精神1」，累計屬性值只有「幻×2」，所以還無法啟用。
• 想要啟用「幻象起手式」的話，就必須再設置一個屬性值「幻×2」以上的結晶迴路，例如再設置一個「妨礙1」(屬性值幻×2)，這樣EXTRA結晶線累計的屬性值就會變為幻×2+幻×2=幻×4，就能啟動「幻象起手式」。

※搭配結晶迴路時，建議以優先組出想要的「晶片技能」為主，接著再來考慮角色的能力來選擇結晶迴路。

※當然，選擇什麼樣的「晶片技能」也會與角色特性有關，甚至「空洞核心」與「魔法驅動器」也要考慮進去，首次接觸會覺得複雜許多，不過隨著遊戲進行相信大家多少都會有概念，我後續也會盡量提供晶片技能的搭配供大家參考。

晶片技能搭配請參考晶片技能搭配建議。

 

魔法驅動器

魔法驅動器

如同先前提到，這次使用魔法需要仰賴「魔法驅動器」才能發動。

• 魔法驅動器上會預設幾種的魔法，這類魔法為固定無法變動，所以想要使用別種魔法，就要更換魔法驅動器。
• 魔法驅動器可由特定導力商店購買或者於迷宮內取得，每一種魔法驅動器都有獨特的魔法類型。部分魔法需要提升空洞核心的等級才能使用。
• 魔法驅動器有能自訂的槽位，可利用「外掛組件」自訂魔法。

 

魔法外掛組件

魔法外掛組件可以由導力商店購買，會隨著遊戲進度增加項目。

• 在「設置外掛組件」頁面，可以「變更魔法驅動器」、「設置外掛組件」與「解鎖插槽」。
• 一個外掛組件可以重複設置到不同的魔法驅動器中，但如果已有相同魔法則無法設置。

※於遊戲的前期，只有在有工房功能的商店或回復裝置才能設置外掛組件，營地選單只能更換魔法驅動器。

 

由卡特爾改造

遊戲進行到卡特爾加入後，就可以隨時營地選單進行改造，而不需要到導力商店或高級回復裝置，可改造的項目為

• 解鎖插槽
• 設置魔法外掛組件
• 變更賽法機殼
• (無法合成結晶迴路)

 

空洞核心

更換空洞核心

第二章開始後，就可以變更空洞核心，更換空洞核心的最主要目的就是要在Ｓ增幅時發揮不同的效果。

• 空洞核心「梅亞」為范恩專用，初期只有一顆梅亞，但會隨著ＬＧＣ系統，分裂為不同效果的空洞核心。
• 范恩也可以裝備其他空洞核心，但建議范恩使用「梅亞」與其分裂的空洞核心即可。(搭配性非常高，強度也是數一數二)
• 空洞核心「梅亞」的效果請看空洞核心。
• ＬＧＣ系統請看LGC陣營影響。

詳細Ｓ增幅如何發揮空洞核心效果，請看本頁指令戰鬥中的晶片增幅與S戰技

 

 

其他系統

這邊會列出部分新系統，如有遺漏再請留言告知

成就系統

第一章開始後，主選單會解鎖「成就系統」，進入主選單後按即可開啟「成就系統」，可以取得各種獎勵，初期可獲不少的「耀晶石塊」，也可取得「U物質」、「結晶迴路」、「生命露水」等道具，甚至有珍貴的裝備，建議積極完成。

※達成「成就」條件後，獎勵需要主動到「成就系統」領取。

 

MVP系統

會根據角色的戰鬥活躍度來選出MVP，影響最大的為使用S戰技的次數，每用一次就會有很多分數。分數具體不明，但想讓特定角色獲得MVP，就要多使用S戰技來加分。

• 從范恩以外的人員中選出。
• 成為MVP者可提升能力。

建議平均分配被選為MVP的角色，除了提升能力，也能獲得遊戲內成就與主機的獎盃。

• 可在成就系統確認已被選過MVP的角色。
• 就個人經驗，因亞妮艾絲的S戰技為回復技能，通常是對付強敵危急時才會使用，所以較不容易被選為MVP。(每個人遊玩情況不一，僅供參考)
• 建議反其道而行，平常打小兵戰時想補HP就使用亞妮艾絲的S戰技，讓她取得一次MVP。

 

美食家階級

製作料理

製作料理需要有食材，每一種料理所需食材不同，製作料理必須於事務所廚房、高階回復裝置或者部分餐館借用廚房才能製作。

• 料理沒有成功率分別，一種食譜做一種料理。
• 特定商店可以購買食譜，並在ITEM畫面使用就可以學到新料理。

美食家點數

首次使用料理道具可以獲得「美食家點數」，這邊料理不只局限於製作出來的料理，吃各地商店販賣料理也可以提升「美食家點數」。

• 獲得「美食家點數」後，可以提升《美食家階級》，並會視階級直接提升隊伍全體能力值。

※首都伊帝斯店家販賣的料理大部分都能隨時購買，但遊戲進行時會前往其他城鎮，該地料理只要錯過就無法購買，所以一到新地點就把商店料理買遍吧。

 

LGC陣營

LGC分別為秩序LAW、灰色GRAY、混沌CHAOS。會依照范恩在4spg(委託)中的選擇行動，提升LGC三項其中之一，也有單純完成就會提升數值的委託。

• 通常在4spg(委託)中會有行動選擇，依照內容獲得不同的LGC值。
• 選擇不同的行動，會影響該委託的後續發展。
• 原則上不會對主線劇情造成影響，但後續某段劇情會依照LGC陣營，出現對應的勢力對范恩提供協助。
• 通常第一輪遊戲建議依照自己想法選擇，不過也建議稍微均衡發展，畢竟「成就系統」可以取得獎勵。

※三個LGC陣營都可以全滿，但至少需要第二輪遊戲。

注意部分遊戲的選項，會大幅提升LGC數值其中之一

接受委託時，在畫面右下角會顯示預估委託增加的LGC陣營傾向，再視選項決定偏向哪個陣營。

此外，會依照LGC陣營等級的多寡，對遊戲會有影響，詳情請看LGC陣營影響

 

連結筆記

連結等級

在筆記頁面的「連結」可以看范恩與各夥伴之間的「連結等級」(可以視為好感度)。

• 與該角色做出特定的行動，就能增加「連結點數」。
• 連結點數達一定值就能提升「連結等級」。
• 連結等級上升的話，就能夠取得戰鬥上的益處。

禮物

可在商店中購買禮物，送給喜歡這個禮物的夥伴。

• 在ToDo選單的「CONNECT頁面」贈送，不需要(也沒辦法)當面贈送。
• 建議有新禮物出現時就先購買起來，以免後續無法購買。(尤其其他城鎮的禮物)
• 而買到新禮物時也建議該章節就先送掉，以免忘記。

 

連結事件

第二章開始會有所謂「閒暇時間」，「閒暇時間」可用來觀看特定角色間的連結事件

• 閒暇時間以點數來表示，１點表示可以看１則連結事件。
• 從ToDo清單中直接選擇連結事件，看過連結事件的角色會大幅增加連結點數，范恩也會小幅增加。
• 不僅白天會有連結事件，其他時段(傍晚或晚上)也有可能有新的連結事件。

將白天能承接的4spg全部完成，可讓閒暇時間增加１點。(其他時段無法增加)

• 白天的閒暇時間沒用完不會保留。
• 而傍晚會有另一段新的閒暇時間，連結事件的對象也與白天不同。

可選擇的「連結事件」通常都會多於「閒暇時間」，所以必須取捨。

• 要第二輪才能把全角色連結等級升滿。
• 第一輪建議以會參與戰鬥的角色為主來提升連結等級。

※增加連結點數方式：送禮物、觀看連結事件、邀請看電影(之後可看電影)

 

欣賞電影

欣賞電影

第二章9/19晚上開始會有欣賞電影的時段，欣賞電影可以增加連結點數，也可收集「觀影手冊」(獎盃相關)，所以建議一定要選一部來看。

• 每一個時段的電影內容都不同，不過同一部電影通常會輪替兩三次。
• 夜間看電影：會巧遇某角色，提升連結點數。
• 白天看電影：選擇兩位夥伴一起欣賞電影，兩名角色都可提升連結點數。
• 看完電影後可以花費100米拉購買「觀影手冊」。

※注意預留電影票與買觀影手冊的米拉，否則會沒有錢購買觀影手冊。

欣賞電影有收集「觀影手冊」與增加「連結點數」。

• 建議以沒看過的電影為優先，收集「觀影手冊」。
• 白天電影不會在夜間放映，夜間電影也不會在白天放映，收集時要注意。

 

其他便利系統

與NPC對話時，可以由頭上的Talk圖示或者商店圖示判斷是否有新對話，如有新對話會偏藍色(如下圖左)；如已無新對話則會是灰色(如下圖右)，方便快速判斷要不要跟該居民"查戶口"。

寶箱數量與戰鬥筆記可以到主選單後按開啟「成就系統」確認。(於進行中或已完成都可確認)

(如有其他便利系統，歡迎補充)